型号 | 类型 | 像素尺寸 | 像素矩阵 | 有效面积 | 帧速率 | 闪烁体 | 辐照寿命 | 能量范围 | 采集模式 | 触发模式 | ROI | 接口 | 电源 | 功耗 | 使用环境 | 存储环境 | 重量 | 外型尺寸(W×L×H) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Pheda3030 | CMOS | 100μm | 3000×3000 | 300×300mm² | CsI | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | DC24V±10% | |||||||||
Pheda1613D | a-Si(TFT) | 125μm | 1274×1024 | 160×128mm²(6×5in) | CsI | 20kGy | 40kV~230kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC24V±10% | ≤12W | +5ºC~+35ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
Pheda1412-5G | CMOS | 100µm | 1404×1204 | 140.4×120.4mm² | CsI | 20kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤15W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
Pheda1512 | CMOS | 100µm | 1440×1120 | 144.0×112.0mm² | CsI/GOS | 20kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
Pheda0606A | CMOS | 49.5μm | 1172×1260 | 58.0×62.4mm² | CsI | 10kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45(以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤4W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | ||||
Pheda1313 | CMOS | 100µm | 1280×1280 | 128.0×128.0mm² | CsI/GOS | 20kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
Pheda1215A | CMOS | 49.5μm | 2940×2342 | 145.5×115.9 mm² | CsI | 10kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤6W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC |